IC et conduire loin de la source de tension d'impulsion doit être réglé aussi loin de l'emplacement de circuits pulsés à haute tension intégrés, dispositifs à haute fréquence. Les circuits intégrés et de raccordement des fils conducteurs associés aussi courts que possible, dans le long terme inévitable pour rejoindre le circuit de protection contre les surtensions, en particulier l'automobile magnétophones installés devrait accorder plus d'attention. Lorsque le cablage du circuit CMOS, composants externes doivent être connectés au plus près de l'axe, et se efforcent de mener la République tchèque est court, éviter d'utiliser de longues pistes en parallèle, ou facile d'introduire un gros moteurs de capacité répartie et l'inductance Sanyo, facile à former un oscillateur LC. La solution est de former des gens dans la résistance entrée c?té 10 kOhms. Lorsque des circuits CMOS pour haut débit, prêter attention à la structure de circuit et la conception de PCB. Fil de sortie est trop long, sujettes à "anneau" phénomène. Provoquer des distorsions du signal. En raison d'appartenir à la grande vitesse ECL circuits intégrés numériques, il est nécessaire de considérer la ?diaphonie? et d'autres problèmes particuliers existent dans la ligne de signal ?réflexion? et entre les lignes de signaux adjacents, si nécessaire en utilisant des lignes de transmission (tels que le cable coaxial), et de veiller à ce que la ligne de transmission adaptation d'impédance. En outre, la nécessité d'adopter des mesures de blindage, isolement. Lorsque la fréquence de fonctionnement dépasse 200Mz lorsque Sanyo, devrait utiliser circuit multicouche conseil pour réduire l'impédance du sol. Beaucoup de paramètres MC33035DW2G FET FET, y compris les paramètres DC, les paramètres de communication et les paramètres de limites, mais se concentrent généralement sur les principaux paramètres suivants lors de l'utilisation: (1), je DSS - saturé courant drain-source. Se réfère à la jonction ou le transistor à effet de champ à mode de déplétion de grille isolée, la tension de grille U GS = 0 quand un courant drain-source. (2), UP - tension de pincement. Fait référence au transistor à effet de champ à grille isolée en mode jonction ou l'épuisement dans les accessoires Sanyo, tension drain-source de la porte juste à c?té de l'heure. (3), UT - Tension de commutation. Désigne le tube à effet de champ de mode à enrichissement grille isolée, de sorte que la tension de grille entre le drain-source vient d'avoir sur le. (4), GM - transconductance. Est une tension grille-source U GS - sur la capacité de contr?ler la fuite de courant ID, ce est à dire le rapport entre le drain ID courant et la quantité de variation de la tension grille-source UGS quantité de changement. GM est un paramètre important pour mesurer les capacités FET d'amplification. (5), les bourgeons - drain-source tension de claquage. Se réfère à la tension grille-source UGS électronique Sanyo constante, le travail de FET peut supporter la tension maximale drain-source. Il se agit d'un argument extrême, appliquée à la tension de fonctionnement FET doit être inférieure à bourgeons. (6), PDSM - dissipation de puissance maximale. Est un argument extrême se réfère à la performance de FET ne est pas détériorée dissipation de puissance maximale autorisée drain-source. Lorsqu'il est utilisé, le FET doit être inférieure à la PDSM réel de consommation de puissance et lui laisser une certaine marge. (7), IDSM - courant drain-source maximale. Est un paramètre de limite se réfère à la FET fonctionne normalement, le courant source-drain à travers le maximum permis. FET courant de fonctionnement ne doit pas dépasser ID SM. LM258P spécifications de Sanyo, Nanjing Sanyo, 耀坤 technologie fournie par Nanjing 耀坤 Technology Limited. Nanjing 耀坤 Ltd (www.njykkj.com) forte, crédible, à Nanjing, Jiangsu industrie diode a accumulé un grand nombre de clients fidèles. La société meilleure attitude de travail et l'amélioration constante des idées novatrices permettront Yaokun dans la technologie brillante et vous travailler pour un avenir meilleur!